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电子级氟化氢主要用于干法蚀刻工艺中的硅及多晶硅蚀刻,作为主要的蚀刻介质;用于化学气相沉积(CVD)中的氮化硅薄膜沉积,作为重要的氟源前驱体;以及用于腔室清洗工艺,清除CVD反应室内的硅化物沉积物。
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